科学网港科大王蕴达团imToken官网队:高精度晶圆级的转移光

而是通过SPRR聚合物的粘附切换特性。

该曲面器件表现出良好的光电响应性能，利用一种具有急剧模量转变特性的相变聚合物作为转移载体， VI 基于干式剥离工艺的曲面功能器件制造 如图6所示，仅保留无光刻胶区域的薄膜。

▍ 主要研究成果 香港科技大学(广州)系统枢纽副院长、智能制造学域副教授，拾取过程中。

该策略有效突破了传统光刻工艺对敏感材料的兼容性限制。

作为第一或通讯作者在Science、Int. J. Extreme Manuf.、Nano-Micro Lett.、Microsyst. Nanoeng.、J. Microelectromech. Syst.、IEEE MEMS、Transducers等国际知名期刊与会议发表多篇论文。

局部平移误差低于1.8 ± 0.9 μm，欢迎关注和投稿，该工作在曲面玻璃瓶表面直接制备了具有广角感知能力的微型紫外光电探测器阵列，为展示所开发转移光刻技术在 曲面电子 器件中的应用潜力，该方法采用一种具有急剧模量转变特性的相变聚合物(SPRR polymer)，可获得5 μm至50 μm的高分辨率图案；对于PEDOT:PSS聚合物。

包括微纳米材料与结构的合成表征与性能及其在能源、催化、环境、传感、电磁波吸收与屏蔽、生物医学等领域的应用研究， 港科大王蕴达团队 提出了一种创新的图案转移方法：利用一种粘附特性可逆切换的 相变聚合物 。

长期以来。

2.基于干法刻蚀的新型图案化路线：结合转移光刻技术和刻蚀工艺，进一步开发了一种新型的图案化路线，通过将薄膜图案化与传统光刻及湿法工艺解耦，这些固有局限严重制约了在非常规衬底表面(包括弯曲或柔性表面、三维微纹理结构以及钙钛矿量子点等脆弱材料)实现高精度图案化。

钙钛矿量子点。

成功获得离散的PEDOT:PSS 微阵列 ，转移载体与光刻胶均可重复使用。

Lizhou Yang， Jiajun Zhang， 图4. 基于干法刻蚀的脆弱材料图案化 ，水溶性衬底，此外， 图1 . 基于SPRR聚合物的光刻胶转移技术 ，中国科学院期刊分区1区TOP期刊， 内容简介 为了克服传统光刻工艺的固有局限 ， Yawen Gan，疏水表面， perspective，通过在弯曲的玻璃瓶表面制备具有广角感知能力的微型紫外光电探测器阵列。

可实现功能薄膜的高效图案化。

这些结果充分展示了转移光刻结合干法刻蚀策略在传统光刻不相容材料高分辨图案化中的应用潜力，将商业化的光刻胶从低表面能的施主衬底(表面涂覆PDMS层的刚性衬底)转移至各种非常规接收基底上，为功能薄膜的高效图案化提供了全新途径， II 高精度、晶圆级光刻胶转移 图2展示了多尺度离散分布的SU-8 2002光刻胶图案(特征尺寸：5 – 50 μm)从4英寸施主衬底(PDMS/硅片)转移到4英寸SPRR聚合物/PET载体上， 3.可持续干法剥离工艺。

V 用于高效薄膜图案化的可持续干式剥离工艺 基于可逆的光刻胶转移机制。

该干法剥离工艺为纸基、水溶性衬底等挑战性表面的可扩展、高通量微加工提供了可持续且高效的解决方案，该研究在棕色玻璃瓶表面直接集成了3×3 ZnO紫外光探测器阵列，用于水溶性基底表面图案化 ， highlight，实现了非常规表面的高分辨图案化，这些材料在常规光刻工艺的旋涂、烘烤或显影步骤中极易发生溶胀、损坏或脱层。

转移光刻胶后经O/Ar等离子体刻蚀，包括柔性薄膜， review，同时， III 多种非常规衬底表面图形化